最新ＶＬＳＩの基礎　第２版

初版より、すべての章が加筆改訂された改訂２版の翻訳書。ＭＯＳＦＥＴのスケール長の理論や高電界輸送モデル、ＳｉＧｅベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、ＣＭＯＳ回路のノイズマージンおよびＲＦ応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、ＳＯＩデバイスについて新たに二つの章が追加された。