最大 5
000MB/秒の読み取り速度と最大 4
800MB/秒の書き込み速度を備えたPCIe Gen 4x4 インターフェース NVMe 1.4 とHost Memory Buffer (HMB) に対応し、高パフォーマンスと低遅延を実現 3D NAND テクノロジーによって、コンパクトなデザインに高密度ストレージを実現低密度パリティ検査（Low Density Parity Check : LDPC）コーディングに対応し、テータ送信の精度とデータアクセスの信頼性を確保 SLC Caching 対応でシーケンシャル読み取り/書き込みとランダム読み取り/書き込みパフォーマンスを改善安心の5年保証と国内サポート。

※保証期間(5年間)およびTBW値範囲内でのご使用に対する保証となります。容量：1000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen4 フラッシュメモリタイプ：3D NAND タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：3.5 mm 読込速度：5000 MB/s 書込速度：4800 MB/s MTBF(平均故障間隔)：150万時間

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