改訂版　はじめての半導体ドライエッチング技術 [ 野尻一男 ]

＜p＞＜strong＞（概要）＜/strong＞＜br /＞ 「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化
・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題
・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。＜/p＞ ＜p＞＜strong＞（こんな方におすすめ）＜/strong＞＜br /＞
・電子電気系のエンジニア全般、半導体関連の技術者、半導体関連の業界を目指す学生＜/p＞ ＜p＞＜strong＞（目次）＜/strong＞＜br /＞ ＜strong＞1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術＜/strong＞＜br /＞ 　　1.1　ドライエッチングの概要＜br /＞ 　　1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ＜br /＞ 　　1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割＜br /＞ ＜strong＞2 章　ドライエッチングのメカニズム＜/strong＞＜br /＞ 　　2.1　プラズマの基礎＜br /＞ 　　2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動＜br /＞ 　　2.3　エッチングプロセスの組み立て方＜br /＞ ＜strong＞3 章　各種材料のエッチング＜/strong＞＜br /＞ 　　3.1　ゲートエッチング＜br /＞ 　　3.2　SiO2 エッチング＜br /＞ 　　3.3　配線エッチング＜br /＞ 　　3.4　まとめ＜br /＞ ＜strong＞4 章　ドライエッチング装置＜/strong＞＜br /＞ 　　4.1　ドライエッチング装置の歴史＜br /＞ 　　4.2　バレル型プラズマエッチャー＜br /＞ 　　4.3　CCP プラズマエッチャー＜br /＞ 　　4.4　マグネトロンRIE＜br /＞ 　　4.5　ECR プラズマエッチャー＜br /＞ 　　4.6　ICP プラズマエッチャー＜br /＞ 　　4.7　ドライエッチング装置の実例＜br /＞ 　　4.8　静電チャック＜br /＞ ＜strong＞5 章　ドライエッチングダメージ＜/strong＞＜br /＞ 　　5.1　Si 表層部に導入されるダメージ＜br /＞ 　　5.2　チャージアップダメージ＜br /＞ ＜strong＞6 章　新しいエッチング技術＜/strong＞＜br /＞ 　　6.1　Cu ダマシンエッチング＜br /＞ 　　6.2　Low-k エッチング＜br /＞ 　　6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線＜br /＞ 　　6.4　メタルゲート/High-k エッチング＜br /＞ 　　6.5　FinFET エッチング＜br /＞ 　　6.6　マルチパターニング＜br /＞ 　　6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング＜br /＞ 　　6.8　3D IC 用エッチング技術＜br /＞ ＜strong＞7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE）＜/strong＞＜br /＞ 　　7.1　ALE の原理＜br /＞ 　　7.2　ALE の特性＜br /＞ 　　7.3　ALE シナジー＜br /＞ 　　7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ＜br /＞ 　　7.5　SiO2 ALE＜br /＞ 　　7.6　まとめ＜br /＞ ＜strong＞8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望＜/strong＞＜br /＞ 　　8.1　ドライエッチングにおける技術革新＜br /＞ 　　8.2　今後の課題と展望＜br /＞ 　　8.3　エンジニアとしての心構え＜/p＞画面が切り替わりますので、しばらくお待ち下さい。

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